La technologie BiCS de SanDisk est une architecture de mémoire non volatile qui accroit la densité, l'extensibilité et les performances de lecture/écriture des mémoires flash. (crédit : D.R.)
Les mémoires flash 3D NAND 256 Gbits issues du partenariat entre SanDisk et Toshiba seront disponibles dans les produits en 2016.
SanDisk vient d'indiquer qu'il lançait avec son partenaire Toshiba la production de la première mémoire flash 3D NAND 256 Gbits X3 (avec 3 bits stockés par cellule) utilisant sa technologie BiCS à 48 couches. L'unité de production se trouve à Yokkaichi, au Japon. Cette collaboration autour de cette fabrication a été annoncée l'an dernier, les deux sociétés l'évaluant alors à 4,84 milliards de dollars (construction de l'unité de production et opérations).
Toshiba a annoncé en mars les premières mémoires V-NAND 3D à 48 couches. Elles offriront une capacité suffisante pour stocker 1 To de données, bien au-delà des actuels 64 Go utilisés dans les smartphones et tablettes. Ces mémoires flash commenceront à être livrées l'an prochain. Elles sont destinées aux produits grand public ainsi qu'aux équipements informatiques et mobiles des entreprises.
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