Samsung lance une nouvelle génération de mémoire DDR4

Les nouvelles mémoires DDR4 de Samsung seraient 30 % plus rapides et moins énergivores que  leur prédécesseurs gravés en 20 nanomètres. Crédit photo : D.R.

Les nouvelles mémoires DDR4 de Samsung seraient 30 % plus rapides et moins énergivores que leur prédécesseurs gravés en 20 nanomètres. Crédit photo : D.R.

Samsung commence à proposer des modules DRAM DDR4 plus rapides et moins consommateurs d'énergie destinés à équiper les PC portables, les terminaux hybrides et les serveurs. Ces produits gravés en 10 nanomètres seront disponibles courant 2016.

Le coréen Samsung a annoncé le 4 avril qu'il a commencé à produire en masse des modules mémoire DDR4 8 Go basés sur la technologie de gravure en 10 nanomètres. Selon le fabricant, ces nouvelles puces seraient plus rapides et moins consommatrices d'énergie que les module DDR4 gravés en 20 nanomètres. La DRAM est un élément critique des systèmes informatiques. C'est sur elle que repose le stockage temporaire des données pendant le traitement de l'information. En outre, la vitesse de la mémoire détermine en partie la rapidité avec laquelle les données circulent au sein d'un ordinateur. Or, les nouveaux modules DDR4 de Samsung affichent, sur le papier, des cadences maximales de 3,2 Ghz, soit bien plus que les 2,4 Ghz de la précédente génération. Par ailleurs, à l'instar des CPU et des processeurs graphiques, plus les puces des DRAM sont petites, plus leur efficacité énergétique est importante. Avec leur gravure en 10 nanomètres, les nouveaux modules DDR4 de Samsung devraient consommer 10 à 20% d'énergie en moins que leurs prédécesseurs.

Plus de puissance au service des processus in-memory

Les fabricants de serveurs intègrent de la mémoire DDR4 dans leurs plates-formes depuis 2014. Samsung estime que ses nouveaux modules pourront améliorer le fonctionnement des applications serveurs déployées à grande échelle. Le traitement in-memory des applications est un des types de processus qui demandent de la puissance pour remplir son objectif de rapidité et de réduction des volumes de données brassées entre la DRAM et les unités de stockage. Le procédé devrait être encore plus efficace grâce à l'aide des modules DDR4 de Samsung.

A termes, la gamme de nouvelles puces mémoires de Samsung gravées en 10 nanomètres devraient offrir des capacités comprises entre 4 Go pour les notebooks et jusqu'à 128 Go pour les serveurs. Elles devraient être mises sur le marché cette année, sans que l'on sache encore quand avec précision. D'ici la fin 2016, Samsung devrait également introduire des modules DDR4 gravés en 10 nanomètres dédiés cette fois-ci aux Smartphones. Cela devrait, selon lui, « conforter sa position de chef de file sur le marché des smartphones à écran ultra-HD. »

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